Toshiba THT Schottky Diode, 650V / 12A, 2-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 896-2600
- Herst. Teile-Nr.:
- TRS12E65C,S1AQ(S
- Hersteller:
- Toshiba
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 896-2600
- Herst. Teile-Nr.:
- TRS12E65C,S1AQ(S
- Hersteller:
- Toshiba
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Informationen zur Produktgruppe
Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC), Toshiba
Schottky-Barrier-Diodenserie aus Siliziumkarbid (SiC), von Toshiba, geeignet für hocheffiziente, schnelle Schaltanwendungen.
Verlustarme Leistungsumwandlung mit hohem Wirkungsgrad
Niedriger Leckstrom
Hochgeschwindigkeitsschalten
Wiederherstellungseigenschaften unabhängig von Temperatur
Niedriger Leckstrom
Hochgeschwindigkeitsschalten
Wiederherstellungseigenschaften unabhängig von Temperatur
Dioden und Gleichrichter, Toshiba
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Montage-Typ | THT |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Dauer-Durchlassstrom max. | 12A |
| Spitzen-Sperrspannung periodisch | 650V |
| Diodenkonfiguration | Einfach |
| Diode Typ | Schottky |
| Pinanzahl | 2 |
| Maximaler Spannungsabfall | 1.7V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Diodentechnologie | SiC-Schottky |
| Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch | 60A |
- RS Best.-Nr.:
- 896-2600
- Herst. Teile-Nr.:
- TRS12E65C,S1AQ(S
- Hersteller:
- Toshiba