- RS Best.-Nr.:
- 781-5635
- Herst. Teile-Nr.:
- MBR130T3G
- Hersteller:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 781-5635
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- onsemi
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
On Semiconductor Schottky-Dioden
Dieser on Semiconductor Schottky-Leistungsgleichrichter verwendet das Schottky-Barriereprinzip mit einem Sperrmetall, um den besten Durchlassspannungs-Rückstromwechsel zu erzielen. Geeignet für Niederspannungs-, Hochfrequenzgleichrichtung sowie eine Freilauf- und Polaritätsschutzdiode in einer Reihe von SMD-Anwendungen, wo immer eine kompaktere Größe und ein größeres Gewicht entscheidend sind.
bleifrei
entwickelt für optimale automatisierte Platinenmontage
Belastungsschutz
Epoxidharz-Spritzgussgehäuse
Leichtes 11,7-mg-Gehäuse
entwickelt für optimale automatisierte Platinenmontage
Belastungsschutz
Epoxidharz-Spritzgussgehäuse
Leichtes 11,7-mg-Gehäuse
Normen
Produkte mit Teilenummern mit dem Präfix NSV-, SBR- oder S- sind gemäß AEC-Q101 für die Kraftfahrttechnik geeignet.
Das on Semiconductor MBR130-Gerät verwendet das Schottky-Barriereprinzip mit einer Leistungsdiode von Metall auf Silizium mit großer Fläche. Ideal geeignet für Niederspannungs-, Hochfrequenzgleichrichtung oder als Freilauf- und Polaritätsschutzdioden in SMD-Anwendungen, bei denen kompakte Größe und Gewicht für das System entscheidend sind.
Schutzvorrichtung für den Belastungsschutz
Niedrige Durchlassspannung
Niedrige Durchlassspannung
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | SOD-123FL |
Dauer-Durchlassstrom max. | 1A |
Spitzen-Sperrspannung periodisch | 30V |
Diodenkonfiguration | Einfach |
Gleichrichter-Typ | Schottky-Diode |
Diode Typ | Schottky |
Pinanzahl | 2 |
Maximaler Spannungsabfall | 450mV |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Diodentechnologie | Schottky |
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch | 5.5A |
- RS Best.-Nr.:
- 781-5635
- Herst. Teile-Nr.:
- MBR130T3G
- Hersteller:
- onsemi