onsemi THT Fototransistor IR 8μs → 880nm, 2-Pin, Side-View Gehäuse
- RS Best.-Nr.:
- 802-3317
- Herst. Teile-Nr.:
- QSE113
- Hersteller:
- onsemi
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- Herst. Teile-Nr.:
- QSE113
- Hersteller:
- onsemi
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
IR-Fototransistor Serie QSE113/QSE114
Die Serie QSE-113/QSE114 von Fairchild Semiconductor ist eine Reihe von Silizium-IR-Fototransistoren. Sie befinden sich in einer SL-Packung mit seitlicher Optik (SL) und durchgehender Bohrung. Die schwarzen Kunststoffgehäuse haben einen breiten Winkel und sind IR-transparent.
Merkmale der QSE113/QSE114 IR-Fototransistoren:
Infrarot-Fototransistor, NPN-Silizium
Gehäusetyp: seitliche Optik
Mittelbreiter Empfangswinkel, 50°
Gehäusematerial und -farbe: schwarzes Epoxidharz
Tageslichtfilter
Hohe Empfindlichkeit
Betriebstemperatur: -40 bis +100 °C
Infrarot-Fototransistor, NPN-Silizium
Gehäusetyp: seitliche Optik
Mittelbreiter Empfangswinkel, 50°
Gehäusematerial und -farbe: schwarzes Epoxidharz
Tageslichtfilter
Hohe Empfindlichkeit
Betriebstemperatur: -40 bis +100 °C
IR-Fototransistoren, Fairchild Semiconductor
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Erkennbare Spektren | IR |
| Fallzeit typ. | 8µs |
| Regelanstiegszeit | 8µs |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Dunkelstrom max. | 100nA |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 25 °C |
| Anzahl der Pins | 2 |
| Montage Typ | THT |
| Gehäusetyp | Side-View |
| Abmessungen | 4.44 x 2.54 x 5.08mm |
| Kollektorstrom | 1.50mA |
| Wellenlänge max. | 880nm |
| Empfindlichkeit im Spektralbereich | 880 nm |
| Länge | 4.44mm |
| Höhe über Panel | 5.08mm |
| Breite | 2.54mm |
- RS Best.-Nr.:
- 802-3317
- Herst. Teile-Nr.:
- QSE113
- Hersteller:
- onsemi