- RS Best.-Nr.:
- 181-1870
- Herst. Teile-Nr.:
- FOD8314TR2
- Hersteller:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 181-1870
- Herst. Teile-Nr.:
- FOD8314TR2
- Hersteller:
- onsemi
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TH
Informationen zur Produktgruppe
FOD8314T - Kriechstrecke und Sicherheitsabstand von 8 mm und Isolationsabstand von 0,4 mm, um eine zuverlässige Hochspannungsisolierung zu erreichen
1,0 A Ausgangsstrom-Ansteuerungsfähigkeit für mittlere Leistung IGBT/MOSFET
- Der Einsatz von P-Kanal-MOSFETs an der Ausgangsstufe ermöglicht ein Schwenken der Ausgangsspannung nahe an der Versorgungsschiene
20 kV/μs minimale Gleichtaktunterdrückung
Großer Versorgungsspannungsbereich: 15 V bis 30 V.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit über den gesamten Betriebstemperaturbereich
- Maximale Ausbreitungsverzögerung von 500 ns
- 300 ns maximale Pulsbreitenverzerrung
Unterspannungsabschaltung (UVLO) mit Hysterese
Erweiterter industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 100 °C.
Wechsel- und bürstenlose Gleichstrom-Motorantriebe
Industrieller Wechselrichter
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Induktionsheizung
Isolierter IGBT/Leistungs-MOSFET-Gate-Antrieb
1,0 A Ausgangsstrom-Ansteuerungsfähigkeit für mittlere Leistung IGBT/MOSFET
- Der Einsatz von P-Kanal-MOSFETs an der Ausgangsstufe ermöglicht ein Schwenken der Ausgangsspannung nahe an der Versorgungsschiene
20 kV/μs minimale Gleichtaktunterdrückung
Großer Versorgungsspannungsbereich: 15 V bis 30 V.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit über den gesamten Betriebstemperaturbereich
- Maximale Ausbreitungsverzögerung von 500 ns
- 300 ns maximale Pulsbreitenverzerrung
Unterspannungsabschaltung (UVLO) mit Hysterese
Erweiterter industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 100 °C.
Wechsel- und bürstenlose Gleichstrom-Motorantriebe
Industrieller Wechselrichter
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Induktionsheizung
Isolierter IGBT/Leistungs-MOSFET-Gate-Antrieb