onsemi PNP Darlington-Transistor 120 V 30 A HFE:200, TO-204 3-Pin Einfach
- RS Best.-Nr.:
- 688-1502
- Herst. Teile-Nr.:
- MJ11015G
- Hersteller:
- onsemi
34 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 19 Uhr.
190 weitere lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 19 Uhr.
Im Warenkorb
Preis pro 1 Stück (in Packung zu 2)
€ 7,67
(ohne MwSt.)
€ 9,20
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 2 - 8 | € 7,67 | € 15,34 |
| 10 - 98 | € 6,60 | € 13,20 |
| 100 - 198 | € 5,48 | € 10,96 |
| 200 - 498 | € 5,17 | € 10,34 |
| 500 + | € 4,82 | € 9,64 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 688-1502
- Herst. Teile-Nr.:
- MJ11015G
- Hersteller:
- onsemi
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
PNP-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor
Normen
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.
Der on Semiconductor MJ11015G ist ein bipolarer Transistor mit 30 A, 120 V PNP Darlington. Er wurde für den Einsatz als Ausgabegerät für allgemeine Verstärkeranwendungen entwickelt.
Das MJ11015G wird in einem bleifreien TO-204AA (TO-3)-durchkontaktierten Gehäuse geliefert.
• Hohe Gleichstromverstärkung
• Monolithische Bauweise
• Integrierter Basis-Emitter-Shunt-Widerstand
• Abzweigtemperatur: Bis +200 °C.
• PNP-Polarität
Das MJ11015G wird in einem bleifreien TO-204AA (TO-3)-durchkontaktierten Gehäuse geliefert.
• Hohe Gleichstromverstärkung
• Monolithische Bauweise
• Integrierter Basis-Emitter-Shunt-Widerstand
• Abzweigtemperatur: Bis +200 °C.
• PNP-Polarität
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | PNP |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 30 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 120 V |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V |
| Gehäusegröße | TO-204 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gleichstromverstärkung min. | 200 |
| Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. | 5 V |
| Kollektor-Basis-Spannung max. | 120 V |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. | 4 V |
| Betriebstemperatur max. | +200°C |
| Breite | 26.67mm |
| Abmessungen | 39.37 x 26.67 x 8.51mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Höhe | 8.51mm |
| Länge | 39.37mm |
- RS Best.-Nr.:
- 688-1502
- Herst. Teile-Nr.:
- MJ11015G
- Hersteller:
- onsemi