- RS Best.-Nr.:
- 163-2498
- Herst. Teile-Nr.:
- MJD31CT4G
- Hersteller:
- onsemi
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- MJD31CT4G
- Hersteller:
- onsemi
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
NPN-Leistungstransistoren, ON Semiconductor
Normen
Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Transistor-Typ | NPN |
Kollektor-Emitter-Spannung | 100 V |
Basis-Emitter Spannung max. | 5 V |
Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Kollektor-Basis-Spannung max. | 100 V |
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. | 1,2 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Verlustleistung max. | 1,56 W |
Abmessungen | 2.38 x 6.73 x 6.22mm |
- RS Best.-Nr.:
- 163-2498
- Herst. Teile-Nr.:
- MJD31CT4G
- Hersteller:
- onsemi