onsemi PNP Darlington-Transistor 120 V 30 A HFE:200, TO-204 3-Pin Einfach

RS Best.-Nr.:: 103-5055
Herst. Teile-Nr.:: MJ11015G
Hersteller:: onsemi

onsemi PNP Darlington-Transistor 120 V 30 A HFE:200, TO-204 3-Pin Einfach

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Herst. Teile-Nr.:: MJ11015G
Hersteller:: onsemi

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CZ

Informationen zur Produktgruppe

PNP-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor

Normen

Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.

Der on Semiconductor MJ11015G ist ein bipolarer Transistor mit 30 A, 120 V PNP Darlington. Er wurde für den Einsatz als Ausgabegerät für allgemeine Verstärkeranwendungen entwickelt.
Das MJ11015G wird in einem bleifreien TO-204AA (TO-3)-durchkontaktierten Gehäuse geliefert.

• Hohe Gleichstromverstärkung
• Monolithische Bauweise
• Integrierter Basis-Emitter-Shunt-Widerstand
• Abzweigtemperatur: Bis +200 °C.
• PNP-Polarität

Lieferbare Versionen:
688-1502 - Packung mit 2 Stück
103-5055 - Schale mit 100 Stück

Technische Daten des gezeigten Artikels

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	PNP
Dauer-Kollektorstrom max.	30 A
Kollektor-Emitter-Spannung	120 V
Basis-Emitter Spannung max.	5 V
Gehäusegröße	TO-204
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Transistor-Konfiguration	Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gleichstromverstärkung min.	200
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.	5 V
Kollektor-Basis-Spannung max.	120 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.	4 V
Abmessungen	39.37 x 26.67 x 8.51mm
Betriebstemperatur max.	+200 °C
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Länge	39.37mm
Höhe	8.51mm
Breite	26.67mm

RS Best.-Nr.:: 103-5055
Herst. Teile-Nr.:: MJ11015G
Hersteller:: onsemi