Renesas Electronics NPN Darlington-Transistor 80 V 4 A HFE:750, SOT-32 3-Pin Einfach
- RS Best.-Nr.:
- 109-084
- Herst. Teile-Nr.:
- BD679
- Hersteller:
- Renesas Electronics
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
NPN-Darlington-Transistoren, STMicroelectronics
Bipolare Transistoren, STMicroelectronics
Eine breite Palette an bipolaren NPN- und PNP-Transistoren von STMicroelectronics, einschließlich Universal-, Darlington-, Leistungs- und Hochspannungs-Bauelementen in SMD- und durchkontaktierten Gehäusen.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | NPN |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 4 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 80 V |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V |
| Gehäusegröße | SOT-32 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gleichstromverstärkung min. | 750 |
| Kollektor-Basis-Spannung max. | 80 V |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. | 2,5 V |
| Kollektor-Abschaltstrom max. | 0.2mA |
| Betriebstemperatur min. | -65 °C |
| Abmessungen | 7.8 x 2.7 x 10.8mm |
| Höhe | 10.8mm |
| Breite | 2.7mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 7.8mm |
- RS Best.-Nr.:
- 109-084
- Herst. Teile-Nr.:
- BD679
- Hersteller:
- Renesas Electronics