Infineon Oberfläche HF-Transistor NPN 13 V / 50 mA, SOT-343 4-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 827-5154
- Herst. Teile-Nr.:
- BFP640ESDH6327XTSA1
- Hersteller:
- Infineon
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 827-5154
- Herst. Teile-Nr.:
- BFP640ESDH6327XTSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | HF-Transistor | |
| Kollektorstrom DC max. Idc | 50mA | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 13V | |
| Gehäusegröße | SOT-343 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kollektor-Basis Spannung max. VCBO | 13V | |
| Maximale Übergangsfrequenz Ft | 70GHz | |
| Emitter-Basisspannung max. VEBO | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Polarität des Transistors | NPN | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200mW | |
| DC-Stromverstärkung min. hFE | 110 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Länge | 2mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Breite | 2.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | Pb-Free (RoHS) | |
| Serie | BFP640 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ HF-Transistor | ||
Kollektorstrom DC max. Idc 50mA | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 13V | ||
Gehäusegröße SOT-343 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO 13V | ||
Maximale Übergangsfrequenz Ft 70GHz | ||
Emitter-Basisspannung max. VEBO 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Polarität des Transistors NPN | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200mW | ||
DC-Stromverstärkung min. hFE 110 | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Pinanzahl 4 | ||
Länge 2mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
Breite 2.1 mm | ||
Normen/Zulassungen Pb-Free (RoHS) | ||
Serie BFP640 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Bipolare HF-Transistoren SiGe, Infineon
Eine Serie von ultra-rauscharmen bipolaren Breitband-HF-Transistoren, NPN, von Infineon. Diese bipolaren Geräte mit Hetero-Junction verwenden die SiGe:C-Technologie aus Silizium-Germanium von Infineon und sind besonders geeignet für den Einsatz in mobilen Anwendungen, in denen eine niedrige Leistungsaufnahme eine Grundvoraussetzung ist. Mit typischen Übergangsfrequenzen von bis zu 65 GHz bieten diese Geräte eine hohe Leistungsverstärkung bei Frequenzen von bis zu 10 GHz, wenn sie in Verstärkern eingesetzt werden. Die Transistoren enthalten interne Schaltungen für ESD- und Schutz vor übermäßiger HF-Eingangsspannung.
Bipolare Transistoren, Infineon
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