Infineon Oberfläche HF-Transistor NPN 13 V / 50 mA, SOT-343 4-Pin

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
827-5154
Herst. Teile-Nr.:
BFP640ESDH6327XTSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

HF-Transistor

Kollektorstrom DC max. Idc

50mA

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

13V

Gehäusegröße

SOT-343

Montageart

Oberfläche

Transistor-Konfiguration

Einfach

Kollektor-Basis Spannung max. VCBO

13V

Maximale Übergangsfrequenz Ft

70GHz

Emitter-Basisspannung max. VEBO

1.2V

Betriebstemperatur min.

-65°C

Polarität des Transistors

NPN

Maximale Verlustleistung Pd

200mW

DC-Stromverstärkung min. hFE

110

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Pinanzahl

4

Länge

2mm

Höhe

0.9mm

Breite

2.1 mm

Normen/Zulassungen

Pb-Free (RoHS)

Serie

BFP640

Automobilstandard

AEC-Q101

Bipolare HF-Transistoren SiGe, Infineon


Eine Serie von ultra-rauscharmen bipolaren Breitband-HF-Transistoren, NPN, von Infineon. Diese bipolaren Geräte mit Hetero-Junction verwenden die SiGe:C-Technologie aus Silizium-Germanium von Infineon und sind besonders geeignet für den Einsatz in mobilen Anwendungen, in denen eine niedrige Leistungsaufnahme eine Grundvoraussetzung ist. Mit typischen Übergangsfrequenzen von bis zu 65 GHz bieten diese Geräte eine hohe Leistungsverstärkung bei Frequenzen von bis zu 10 GHz, wenn sie in Verstärkern eingesetzt werden. Die Transistoren enthalten interne Schaltungen für ESD- und Schutz vor übermäßiger HF-Eingangsspannung.

Bipolare Transistoren, Infineon


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