Transistor BD139 NPN 80 V 3 A, HFE:25, SOT-32 3-Pin

Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Erklärung anzeigen)
Informationen zur Produktgruppe

Universal-NPN-Transistoren, STMicroelectronics

Bipolare Transistoren, STMicroelectronics

Eine breite Palette an bipolaren NPN- und PNP-Transistoren von STMicroelectronics, einschließlich Universal-, Darlington-, Leistungs- und Hochspannungs-Bauelementen in SMD- und durchkontaktierten Gehäusen.

Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft Wert
Transistor-Typ NPN
DC Kollektorstrom max. 3 A
Kollektor-Emitter- 80 V
Gehäusegröße SOT-32
Montage-Typ Durchsteckmontage
Verlustleistung max. 1,25 W
Gleichstromverstärkung min. 25
Transistor-Konfiguration Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. 80 V
Basis-Emitter Spannung max. 5 V
Pinanzahl 3
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. 0,5 V
Abmessungen 10.8 x 7.8 x 2.7mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Breite 2.7mm
Höhe 10.8mm
Betriebstemperatur min. –65 °C
Länge 7.8mm
300 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 19 Uhr.
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