- RS Best.-Nr.:
- 195-8316
- Herst. Teile-Nr.:
- KVR32S22S6/4
- Hersteller:
- Kingston
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- Herst. Teile-Nr.:
- KVR32S22S6/4
- Hersteller:
- Kingston
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Dieses Dokument beschreibt die ValueRAM KVR32S22S6/4 512 M x 64-Bit (4 GB) DDR4-3200 CL22 SDRAM (Synchrones DRAM), 1Rx16, Speichermodul, basierend auf vier 512 M x 16-Bit FBGA-Komponenten. Das SPD ist auf eine Latenzzeit des DDR4-3200 von 17-17-17 bei 1,2 V programmiert. Dieses 260-polige SODIMM verwendet Goldkontaktstifte.
Netzteil: VDD = 1,2 V (typisch)
VDDQ = 1,2 V (typisch)
VPP = 2,5 V (typisch)
VDDSPD = 2,2 V bis 3,6 V
Nomineller und dynamischer On-Die-Anschluss (ODT) für Daten, Stroboskop und Maskensignale
Energiesparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR)
Datenbus-Inversion (DBI) für Datenbus
On-Die-VREFDQ-Generierung und -Kalibrierung
Single-Rank
Integriertes I2-EEPROM mit serieller Anwesenheitserkennung (SPD)
8 interne Bänke, 2 Gruppen aus jeweils 4 Bänken
Feste Burst-Chop (BC) von 4 und Burst-Länge (BL) von 8 über den Modus-Registersatz (MRS)
Auswählbare BC4 oder BL8 während des Betriebs (OTF)
Fly-by-Topologie
Angeschlossener Steuerungsbefehl- und Adressbus
Leiterplatte: Höhe 1,18 Zoll (30,00 mm)
Halogenfrei
VDDQ = 1,2 V (typisch)
VPP = 2,5 V (typisch)
VDDSPD = 2,2 V bis 3,6 V
Nomineller und dynamischer On-Die-Anschluss (ODT) für Daten, Stroboskop und Maskensignale
Energiesparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR)
Datenbus-Inversion (DBI) für Datenbus
On-Die-VREFDQ-Generierung und -Kalibrierung
Single-Rank
Integriertes I2-EEPROM mit serieller Anwesenheitserkennung (SPD)
8 interne Bänke, 2 Gruppen aus jeweils 4 Bänken
Feste Burst-Chop (BC) von 4 und Burst-Länge (BL) von 8 über den Modus-Registersatz (MRS)
Auswählbare BC4 oder BL8 während des Betriebs (OTF)
Fly-by-Topologie
Angeschlossener Steuerungsbefehl- und Adressbus
Leiterplatte: Höhe 1,18 Zoll (30,00 mm)
Halogenfrei
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Kapazität | 4 GB |
Geschwindigkeit | 3200MHz |
Speicherklasse | DDR4 |
Speichersteckplatz | SODIMM |
Kontakte | 260 |
Spannung | 1.2V |
CAS-Latenz | 22 |