BJT und Bipolare Transistoren

Ein bipolarer Transistor oder BJT (Bipolar Junction Transistor) ist ein Halbleiterrelaisgerät mit drei Stiften aus drei Siliziumschichten. Ein BJT ist darauf ausgelegt, Strom zu verstärken. Bipolare Transistoren können auch als Switch fungieren. Es gibt zwei Hauptarten von Transistoren: PNP (positiv-negativ-positiv) und NPN (negativ-positiv-negativ).
So wird ein bipolarer Transistor hergestellt
Ein bipolarer Transistor wird durch rückseitiges Verbinden zweier Signaldioden hergestellt, wodurch zwei in Reihe geschaltete PN-Verbindungen entstehen, die eine gemeinsame P- oder N-Klemme teilen. Naturgemäß ist das Silizium in der Regel kein guter elektrischer Leiter. Wenn Silizium jedoch mit bestimmten Chemikalien oder Verunreinigungen behandelt wird, kann erreicht werden, dass sich das Material und die Elektronen anders verhalten. Dieser Prozess wird als Dotierung bezeichnet. Durch den Dotierungsvorgang wird die elektrische Leitfähigkeit der Halbleiter gesteigert.
Welche Funktion hat ein bipolarer Transistor?
Wie bereits erwähnt, bietet ein bipolarer Transistor zwei mögliche Funktionen: Umschaltung und Verstärkung. Aufgrund der drei Schichten aus dotiertem Halbleitermaterial kann die eigenständige Komponente bei Versorgung des Transistors mit einer Signalspannung als Isolator oder Leiter fungieren. Durch diese intelligente Änderung erhalten die Transistoren zwei grundlegende Funktionen: Umschaltung (digital) und Verstärkung (analog) von Elektronik.
Arten von Transistoren
Transistoren sind in Ausführungen mit Tafel-, Oberflächen- und Durchgangsmontage in Kunststoff- oder Metallgehäusen erhältlich. Alle verfügen über drei Klemmen oder Stifte, die Basis, den Kollektor und den Emitter.
Wo werden bipolare Transistoren verwendet?
Transistoren sind eine der am häufigsten verwendeten eigenständigen Komponenten in elektronischen Konstruktionen und Schaltkreisen. Transistoren werden zur Verstärkung von elektrischen Signalen aller Art in Stromkreisen verwendet, die aus einzelnen Komponenten statt aus ICs (integrierten Schaltungen) bestehen.

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Beschreibung Preis Transistor-Typ DC Kollektorstrom max. Kollektor-Emitter- Gehäusegröße Montage-Typ Verlustleistung max. Gleichstromverstärkung min. Transistor-Konfiguration Kollektor-Basis-Spannung max. Basis-Emitter Spannung max. Arbeitsfrequenz max. Pinanzahl Anzahl der Elemente pro Chip Abmessungen
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Herst. Teile-Nr.BC547B
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NPN 100 mA 45 V TO-92 Durchsteckmontage 500 mW 110 Einfach 50 V 6 V 1 MHz 3 1 4.58 x 3.86 x 4.58mm
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RS Best.-Nr. 124-1348
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RS Best.-Nr. 803-1138
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RS Best.-Nr. 445-2023
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NPN 100 mA 45 V SOT-23 SMD 330 mW 420 Einfach 50 V 6 V 250 MHz 3 1 1 x 2.9 x 1.3mm
RS Best.-Nr. 103-2964
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RS Best.-Nr. 102-2279
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Herst. Teile-Nr.BC33725TAR
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NPN 3 A 80 V SOT-32 Durchsteckmontage 1,25 W 25 Einfach 80 V 5 V - 3 1 10.8 x 7.8 x 2.7mm