Renesas Electronics

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Beschreibung
Produkt-Details
Renesas Electronics NPN Darlington-Transistor 80 V 4 A HFE:750, SOT-32 3-Pin Einfach
  • € 0,501 Stück
Renesas Electronics NPN Darlington-Transistor 80 V 4 A HFE:750, SOT-32 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.4 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung80 V
  • Basis-Emitter Spannung max.5 V
  • GehäusegrößeSOT-32
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
Renesas Electronics ISL6144IRZA N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 8 A QFN
  • € 4,671
    1 Stück (in Stange zu 60)
Renesas Electronics ISL6144IRZA N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 8 A QFN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.8 A
  • Drain-Source-Spannung max.12 V
  • GehäusegrößeQFN
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Renesas Electronics 2SK1317 2SK1317-E N-Kanal MOSFET Transistor 1500 V / 7 A, 3-Pin SC-65
  • € 6,071 Stück
  • Auch verfügbar in Industriestandard-Verpackung
Renesas Electronics 2SK1317 2SK1317-E N-Kanal MOSFET Transistor 1500 V / 7 A, 3-Pin SC-65
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.7 A
  • Drain-Source-Spannung max.1500 V
  • GehäusegrößeSC-65
  • Pinanzahl3
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Renesas Electronics BEAM RJK0391DPA-00#J5A N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 50 A, 8-Pin WPAK
  • € 1,476
    1 Stück (in Packung zu 5)
  • Auch verfügbar in Industriestandard-Verpackung
Renesas Electronics BEAM RJK0391DPA-00#J5A N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 50 A, 8-Pin WPAK
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.50 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • SerieBEAM
  • GehäusegrößeWPAK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Renesas Electronics TRIAC 20A TO-3PFM THT Gate Trigger 3V, 1500V, 1500V 3-Pin
  • € 9,95
    1 Stück (in Packung zu 2)
  • Auch verfügbar in Industriestandard-Verpackung
Renesas Electronics TRIAC 20A TO-3PFM THT Gate Trigger 3V, 1500V, 1500V 3-Pin
  • On-State Strom durchschnittlich20A
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeTO-3PFM
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1500V
  • Pinanzahl3
Vergleichbare Produkte in "TRIAC Thyristortrioden"
Renesas Electronics RJK0656DPB-00#J5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 40 A, 4-Pin LFPAK, SOT-669
  • € 1,55
    1 Stück (auf Rolle zu 2500)
Renesas Electronics RJK0656DPB-00#J5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 40 A, 4-Pin LFPAK, SOT-669
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.40 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeLFPAK, SOT-669
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Renesas Electronics 2SK1835-E N-Kanal, THT MOSFET 1500 V / 4 A, 3-Pin TO-3PN
  • € 6,657
    1 Stück (in Stange zu 30)
Renesas Electronics 2SK1835-E N-Kanal, THT MOSFET 1500 V / 4 A, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.4 A
  • Drain-Source-Spannung max.1500 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Renesas Electronics RJK0651DPB-00#J5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A, 4-Pin LFPAK, SOT-669
  • € 0,959
    1 Stück (auf Rolle zu 2500)
Renesas Electronics RJK0651DPB-00#J5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A, 4-Pin LFPAK, SOT-669
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.25 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeLFPAK, SOT-669
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Renesas Electronics ISL6144IRZA N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 8 A QFN
  • € 6,231 Stück
  • Auch verfügbar in Industriestandard-Verpackung
Renesas Electronics ISL6144IRZA N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 8 A QFN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.8 A
  • Drain-Source-Spannung max.12 V
  • GehäusegrößeQFN
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Renesas Electronics 2SK1317 2SK1317-E N-Kanal MOSFET Transistor 1500 V / 7 A, 3-Pin SC-65
  • € 4,428
    1 Stück (in Stange zu 30)
Renesas Electronics 2SK1317 2SK1317-E N-Kanal MOSFET Transistor 1500 V / 7 A, 3-Pin SC-65
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.7 A
  • Drain-Source-Spannung max.1500 V
  • GehäusegrößeSC-65
  • Pinanzahl3
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Renesas Electronics TRIAC 20A TO-3PFM THT Gate Trigger 3V, 1500V, 1500V 3-Pin
  • € 5,324
    1 Stück (in Stange zu 30)
Renesas Electronics TRIAC 20A TO-3PFM THT Gate Trigger 3V, 1500V, 1500V 3-Pin
  • On-State Strom durchschnittlich20A
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeTO-3PFM
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1500V
  • Pinanzahl3
Vergleichbare Produkte in "TRIAC Thyristortrioden"
Renesas Electronics HFA3127BZ SMD, NPN Transistor Pent 8 V / 65 mA 8000 MHz, SOIC 16-Pin
  • € 11,767
    1 Stück (in Stange zu 48)
Renesas Electronics HFA3127BZ SMD, NPN Transistor Pent 8 V / 65 mA 8000 MHz, SOIC 16-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.65 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung8 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Renesas Electronics 2SK1835-E N-Kanal, THT MOSFET 1500 V / 4 A, 3-Pin TO-3PN
  • € 8,701 Stück
  • Auch verfügbar in Industriestandard-Verpackung
Renesas Electronics 2SK1835-E N-Kanal, THT MOSFET 1500 V / 4 A, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.4 A
  • Drain-Source-Spannung max.1500 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Renesas Electronics RJK0651DPB-00#J5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A, 4-Pin LFPAK, SOT-669
  • € 1,308
    1 Stück (in Packung zu 5)
  • Auch verfügbar in Industriestandard-Verpackung
Renesas Electronics RJK0651DPB-00#J5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A, 4-Pin LFPAK, SOT-669
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.25 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeLFPAK, SOT-669
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Renesas Electronics BEAM RJK0391DPA-00#J5A N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 50 A, 8-Pin WPAK
  • € 1,081
    1 Stück (auf Rolle zu 3000)
Renesas Electronics BEAM RJK0391DPA-00#J5A N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 50 A, 8-Pin WPAK
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.50 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • SerieBEAM
  • GehäusegrößeWPAK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Renesas Electronics HFA3096BZ SMD, NPN/PNP Transistor Pent 8 V / 65 mA, SOIC 16-Pin
  • € 12,211 Stück
  • Auch verfügbar in Industriestandard-Verpackung
Renesas Electronics HFA3096BZ SMD, NPN/PNP Transistor Pent 8 V / 65 mA, SOIC 16-Pin
  • Transistor-TypNPN/PNP
  • DC Kollektorstrom max.65 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung8 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Renesas Electronics NP100P06PDG-E1-AY P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A
  • € 3,114
    1 Stück (in Stange zu 800)
Renesas Electronics NP100P06PDG-E1-AY P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Renesas Electronics HFA3127BZ SMD, NPN Transistor Pent 8 V / 65 mA 8000 MHz, SOIC 16-Pin
  • € 13,351 Stück
  • Auch verfügbar in Industriestandard-Verpackung
Renesas Electronics HFA3127BZ SMD, NPN Transistor Pent 8 V / 65 mA 8000 MHz, SOIC 16-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.65 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung8 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Renesas Electronics HFA3096BZ SMD, NPN/PNP Transistor Pent 8 V / 65 mA, SOIC 16-Pin
  • € 9,83
    1 Stück (in Stange zu 48)
Renesas Electronics HFA3096BZ SMD, NPN/PNP Transistor Pent 8 V / 65 mA, SOIC 16-Pin
  • Transistor-TypNPN/PNP
  • DC Kollektorstrom max.65 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung8 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Renesas Electronics RJK0656DPB-00#J5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 40 A, 4-Pin LFPAK, SOT-669
  • € 2,122
    1 Stück (in Packung zu 5)
  • Auch verfügbar in Industriestandard-Verpackung
Renesas Electronics RJK0656DPB-00#J5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 40 A, 4-Pin LFPAK, SOT-669
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.40 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeLFPAK, SOT-669
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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