Infineon

Diskrete Bauteile

Anzeige 1 - 20 von 4233 Produkten
Ausgewählte Produkte vergleichen 0/8
Ansicht:
Preis
(Netto)
Beschreibung
Produkt-Details
  • € 0,14
    1 Stück (in Packung zu 50)
Transistor BC847CE6327HTSA1 NPN 45 V 100 mA 250 MHz, HFE:420, SOT-23 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-45 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • € 0,69
    1 Stück (in Stange zu 50)
HEXFET IRF520NPBF N-Kanal MOSFET, 100 V / 9,7 A, 48 W, TO-220AB 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.9,7 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 2,181 Stück
HEXFET IRF520NPBF N-Kanal MOSFET, 100 V / 9,7 A, 48 W, TO-220AB 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.9,7 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,092
    1 Stück (auf Rolle zu 3000)
HEXFET IRLML6244TRPBF N-Kanal MOSFET, 20 V / 6,3 A, 1,3 W, SOT-23 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.6,3 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,262
    1 Stück (in Packung zu 20)
HEXFET IRLML6244TRPBF N-Kanal MOSFET, 20 V / 6,3 A, 1,3 W, SOT-23 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.6,3 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 1,014
    1 Stück (in Packung zu 5)
HEXFET IRLU9343PBF P-Kanal MOSFET, 55 V / 20 A, 79 W, IPAK (TO-251) 3-Pin
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • GehäusegrößeIPAK (TO-251)
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,862
    1 Stück (in Stange zu 75)
  • € 2,301 Stück
HEXFET IRLZ34NPBF N-Kanal MOSFET, 55 V / 30 A, 68 W, TO-220AB 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,125
    1 Stück (auf Rolle zu 3000)
HEXFET IRLML0060TRPBF N-Kanal MOSFET, 60 V / 2,7 A, 1,25 W, SOT-23 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.2,7 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,324
    1 Stück (in Packung zu 20)
HEXFET IRLML0060TRPBF N-Kanal MOSFET, 60 V / 2,7 A, 1,25 W, SOT-23 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.2,7 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,809
    1 Stück (in Stange zu 50)
HEXFET IRLZ34NPBF N-Kanal MOSFET, 55 V / 30 A, 68 W, TO-220AB 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,086
    1 Stück (in Packung zu 100)
OptiMOS 2N7002H6327XTSA2 N-Kanal MOSFET, 60 V / 300 mA, 500 mW, SOT-23 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.300 mA
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 2,611 Stück
HEXFET IRFP260NPBF N-Kanal MOSFET, 200 V / 50 A, 300 W, TO-247AC 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.50 A
  • Drain-Source-Spannung max.200 V
  • GehäusegrößeTO-247AC
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 2,21
    1 Stück (in Stange zu 25)
HEXFET IRFP260NPBF N-Kanal MOSFET, 200 V / 50 A, 300 W, TO-247AC 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.50 A
  • Drain-Source-Spannung max.200 V
  • GehäusegrößeTO-247AC
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,042
    1 Stück (auf Rolle zu 3000)
OptiMOS 2N7002H6327XTSA2 N-Kanal MOSFET, 60 V / 300 mA, 500 mW, SOT-23 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.300 mA
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 2,181 Stück
HEXFET IRF3205PBF N-Kanal MOSFET, 55 V / 110 A, 200 W, TO-220AB 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.110 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,057
    1 Stück (auf Rolle zu 3000)
BAT6402VH6327XTSA1 Schottky Diode Fast Recovery, 40V / 250mA 5ns, SC-79 2-Pin
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSC-79
  • Dauer-Durchlassstrom max.250mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch40V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Gleichrichterdioden und Schottky Dioden"
  • € 1,45
    1 Stück (in Packung zu 2)
HEXFET IRLB3813PBF N-Kanal MOSFET, 30 V / 260 A, 230 W, TO-220AB 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.260 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 2,781
    1 Stück (auf Rolle zu 2000)
OptiMOS 5 IPT007N06NATMA1 N-Kanal MOSFET, 60 V / 300 A, 375 W, HSOF 8-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.300 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeHSOF
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,819
    1 Stück (in Packung zu 20)
HEXFET IRF540NPBF N-Kanal MOSFET, 100 V / 33 A, 130 W, TO-220AB 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.33 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Ihre letzten Suchbegriffe
Häufig gestellte Fragen
Benötigen Sie Hilfe?
Kontaktieren Sie uns unter:
(02852)505