Fairchild Semiconductor

Diskrete Halbleiter

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Diskrete Halbleiter
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(2) Suppressordioden TVS
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Beschreibung
Produkt-Details
Fairchild Semiconductor Schaltdiode Einfach 400mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • € 0,008
    1 Stück (auf Rolle zu 10000)
Fairchild Semiconductor Schaltdiode Einfach 400mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • Durchlassstrom max.400mA
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Montage-TypTHT
  • Sperrspannung max.100V
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
Fairchild Semiconductor Kleinsignaldiode Einfach 300mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • € 0,031
    1 Stück (in Packung zu 250)
Fairchild Semiconductor Kleinsignaldiode Einfach 300mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Durchlassstrom max.300mA
  • Montage-TypTHT
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Sperrspannung max.100V
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
Fairchild Semiconductor Gleichrichterdiode Einfach 400mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • € 0,01
    1 Stück (auf Rolle zu 5000)
Fairchild Semiconductor Gleichrichterdiode Einfach 400mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Durchlassstrom max.400mA
  • Montage-TypTHT
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Sperrspannung max.100V
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
Fairchild Semiconductor Kleinsignaldiode
  • € 0,011
    1 Stück (auf Rolle zu 2000)
Fairchild Semiconductor Kleinsignaldiode
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
Fairchild Semiconductor Schaltdiode Einfach 300mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • € 0,014
    1 Stück (in Box zu 2000)
Fairchild Semiconductor Schaltdiode Einfach 300mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • Durchlassstrom max.300mA
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Montage-TypTHT
  • Sperrspannung max.100V
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
Fairchild Semiconductor Schaltdiode Einfach 400mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • € 0,044
    1 Stück (in Packung zu 20)
  • Auch verfügbar in Industriestandard-Verpackung
Fairchild Semiconductor Schaltdiode Einfach 400mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • Durchlassstrom max.400mA
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Montage-TypTHT
  • Sperrspannung max.100V
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
Fairchild IGBT / 75 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-247 N-Kanal
  • € 9,947
    1 Stück (in Stange zu 30)
Fairchild IGBT / 75 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-247 N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.75 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • GehäusegrößeTO-247
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Fairchild Semiconductor UniFET FDP52N20 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 52 A 357 W, 3-Pin TO-220AB
  • € 1,126
    1 Stück (in Packung zu 5)
Fairchild Semiconductor UniFET FDP52N20 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 52 A 357 W, 3-Pin TO-220AB
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.52 A
  • Drain-Source-Spannung max.200 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Fairchild IGBT / 70 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-247 N-Kanal
  • € 7,859
    1 Stück (in Stange zu 30)
Fairchild IGBT / 70 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-247 N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.70 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • GehäusegrößeTO-247
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Fairchild Semiconductor Line-Driver differenzial 5-Pin SOT-23
  • € 0,608
    1 Stück (in Packung zu 10)
  • Auch verfügbar in Industriestandard-Verpackung
Fairchild Semiconductor Line-Driver differenzial 5-Pin SOT-23
  • InterfaceDifferenzial-ADC-Treiber-IC
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Pinanzahl5
  • Abmessungen3 x 1.7 x 1.25mm
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Fairchild Semiconductor PowerTrench FDP038AN06A0 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 17 A 310 W, 3-Pin TO-220AB
  • € 2,486
    1 Stück (in Stange zu 50)
Fairchild Semiconductor PowerTrench FDP038AN06A0 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 17 A 310 W, 3-Pin TO-220AB
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.17 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
  • € 1,576
    1 Stück (auf Rolle zu 800)
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.21 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung450 V
  • Gate-Source Spannung max.±14V
  • Verlustleistung max.150 W
  • GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Fairchild IGBT / 46 A ±14V max., 420 V 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
  • € 2,061
    1 Stück (auf Rolle zu 800)
Fairchild IGBT / 46 A ±14V max., 420 V 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.46 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung420 V
  • Gate-Source Spannung max.±14V
  • Verlustleistung max.250 W
  • GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Fairchild Semiconductor TVS-Diode Bi-Directional Einfach 30.6V 20.9V min., 2-Pin, THT 18.8V max DO-15
  • € 0,378
    1 Stück (in Packung zu 5)
Fairchild Semiconductor TVS-Diode Bi-Directional Einfach 30.6V 20.9V min., 2-Pin, THT 18.8V max DO-15
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Direction TypBi-Directional
  • Klemmenspannung max.30.6V
  • Durchschlagspannung min.20.9V
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Fairchild Semiconductor TVS-Diode Bi-Directional Einfach 14.5V 9.5V min., 2-Pin, THT 8.5V max DO-15
  • € 0,336
    1 Stück (in Packung zu 5)
Fairchild Semiconductor TVS-Diode Bi-Directional Einfach 14.5V 9.5V min., 2-Pin, THT 8.5V max DO-15
  • Direction TypBi-Directional
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Klemmenspannung max.14.5V
  • Durchschlagspannung min.9.5V
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Fairchild IGBT / 46 A ±14V max., 420 V 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
  • € 4,112
    1 Stück (in Packung zu 5)
  • Auch verfügbar in Industriestandard-Verpackung
Fairchild IGBT / 46 A ±14V max., 420 V 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.46 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung420 V
  • Gate-Source Spannung max.±14V
  • Verlustleistung max.250 W
  • GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Fairchild Semiconductor QFET FQD10N20CTM N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 200 V / 7,8 A 50 W, 3-Pin DPAK
  • € 0,628
    1 Stück (in Packung zu 5)
Fairchild Semiconductor QFET FQD10N20CTM N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 200 V / 7,8 A 50 W, 3-Pin DPAK
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.7,8 A
  • Drain-Source-Spannung max.200 V
  • GehäusegrößeDPAK
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Fairchild Semiconductor UltraFET FDS3692 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 4,5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
  • € 0,826
    1 Stück (in Packung zu 5)
Fairchild Semiconductor UltraFET FDS3692 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 4,5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.4,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
  • € 2,568
    1 Stück (in Packung zu 5)
  • Auch verfügbar in Industriestandard-Verpackung
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.21 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung450 V
  • Gate-Source Spannung max.±14V
  • Verlustleistung max.150 W
  • GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin TO-220AB N-Kanal
  • € 2,722
    1 Stück (in Stange zu 50)
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin TO-220AB N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.21 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung450 V
  • Gate-Source Spannung max.±14V
  • Verlustleistung max.150 W
  • GehäusegrößeTO-220AB
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
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