Fairchild Semiconductor

Diskrete Bauteile

Anzeige 1 - 20 von 37 Produkten
Ausgewählte Produkte vergleichen 0/8
Ansicht:
Preis
(Netto)
Beschreibung
Produkt-Details
  • € 8,261 Stück
N-Kanal IGBT HGTG40N60A4, 600 V 75 A, TO-247 3-Pin Einfach
  • Dauer-Kollektorstrom max.75 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • GehäusegrößeTO-247
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • € 9,947
    1 Stück (in Stange zu 30)
N-Kanal IGBT HGTG40N60A4, 600 V 75 A, TO-247 3-Pin Einfach
  • Dauer-Kollektorstrom max.75 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • GehäusegrößeTO-247
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • € 0,962
    1 Stück (in Packung zu 5)
PowerTrench FDS6574A N-Kanal MOSFET, 20 V / 16 A, 2,5 W, SOIC 8-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.16 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 1,23
    1 Stück (in Packung zu 5)
PowerTrench FDMS86105 N-Kanal MOSFET, 100 V / 6 A, 48 W, Leistung 56 8-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.6 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeLeistung 56
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 1,126
    1 Stück (in Packung zu 5)
UniFET FDP52N20 N-Kanal MOSFET, 200 V / 52 A, 357 W, TO-220AB 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.52 A
  • Drain-Source-Spannung max.200 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 1,446
    1 Stück (in Packung zu 5)
SuperFET FCP7N60 N-Kanal MOSFET, 600 V / 7 A, 83 W, TO-220AB 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.7 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 5,821 Stück
N-Kanal IGBT FGH75N60UFTU, 600 V 150 A, TO-247 3-Pin Einfach
  • Dauer-Kollektorstrom max.150 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • Verlustleistung max.452 W
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • € 7,859
    1 Stück (in Stange zu 30)
N-Kanal IGBT HGTG40N60B3, 600 V 70 A, TO-247 3-Pin Einfach
  • Dauer-Kollektorstrom max.70 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • GehäusegrößeTO-247
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • € 6,851 Stück
N-Kanal IGBT HGTG40N60B3, 600 V 70 A, TO-247 3-Pin Einfach
  • Dauer-Kollektorstrom max.70 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • GehäusegrößeTO-247
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • € 0,701
    1 Stück (in Packung zu 10)
Differenzial-ADC-Treiber FIN1001M5X, SOT-23 5-Pin
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Pinanzahl5
  • Betriebstemperatur max.+150 °C
  • Höhe1.25mm
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • € 0,263
    1 Stück (in Packung zu 50)
NPN Darlington-Transistor MPSA29 100 V 800 mA HFE:10000, TO-92 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.800 mA
  • Kollektor-Emitter-100 V
  • Basis-Emitter Spannung max.12 V
  • GehäusegrößeTO-92
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • € 2,36
    1 Stück (in Packung zu 2)
UltraFET HUF75639G3 N-Kanal MOSFET, 100 V / 56 A, 200 W, TO-247 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.56 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 4,394
    1 Stück (in Stange zu 30)
N-Kanal IGBT FGH75N60UFTU, 600 V 150 A, TO-247AB 3-Pin Einfach
  • Dauer-Kollektorstrom max.150 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • Verlustleistung max.452 W
  • GehäusegrößeTO-247AB
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • € 0,826
    1 Stück (in Packung zu 5)
UltraFET FDS3692 N-Kanal MOSFET, 100 V / 4,5 A, 2,5 W, SOIC 8-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.4,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,054
    1 Stück (auf Rolle zu 3000)
NDS0610 P-Kanal MOSFET, 60 V / 120 mA, 360 mW, SOT-23 3-Pin
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.120 mA
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,343
    1 Stück (in Packung zu 25)
PowerTrench FDC5661N_F085 N-Kanal MOSFET, 60 V / 4 A, 1,6 W, SOT-23 6-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.4 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,634
    1 Stück (in Packung zu 5)
PowerTrench FDMC4435BZ P-Kanal MOSFET, 30 V / 32 A, 31 W, MLP 8-Pin
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.32 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeMLP
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 1,42
    1 Stück (in Packung zu 2)
PowerTrench FDD2572 N-Kanal MOSFET, 150 V / 29 A, 135 W, DPAK (TO-252) 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.29 A
  • Drain-Source-Spannung max.150 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,114
    1 Stück (in Packung zu 5)
PowerTrench FDC365P P-Kanal MOSFET, 35 V / 4,3 A, 1,6 W, SOT-23 6-Pin
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.4,3 A
  • Drain-Source-Spannung max.35 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,378
    1 Stück (in Packung zu 5)
TVS-Diode Bi-Directional P6KE22CA, 30.6V 600W, DO-15 2-Pin
  • Direction TypBi-Directional
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Klemmenspannung max.30.6V
  • Durchschlagspannung min.20.9V
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Ihre letzten Suchbegriffe
Häufig gestellte Fragen
Benötigen Sie Hilfe?
Kontaktieren Sie uns unter:
(02852)505